半导体光刻胶 – 半导体生产用光刻胶

（日本东京应化工业株式会社）

IC、LSI和VLSI的生产模型已经有大胆的改善，要求使用稳定分辨率、高强度、无杂质材料或高质量的光刻胶。

A．OFPR-800正性光刻胶

正性光刻胶是目前半导体工业最常用的正性光刻胶，性能稳定，有严格的质量控制。

主要特点：显影过程中嚗光后无表面暴露、无条纹、分辨率高，对显影液的温度依赖小，易控制、高熔点，温度影响小、粘性大、杂质（如Na，Fe等）少、干刻蚀力强、易剥落。

B．TSMR-8900高分辨率、高耐热G线正性光刻胶

适用于生产1M DRAM和4M DRAM

主要特点：分辨率由优于OFPR-800，在NA0.35的步进器上的可靠性尺寸达0.7uM，随着嚗光时间的变化，尺寸变化较小、随着显影时间的变化，尺寸变化率小，残膜收取率高、随着预陪时间的变化尺寸变化率小、DOF特性佳

C．NMD-W高性能有机碱显影液

在现代化半导体工业中，已经采用了在线自动显影工具，显影力往往取决于流率、噴嘴的形状及其他。

主要特点：濡湿性好（表面张力小）、大圆片内尺寸不协调因素少、除泡性能良好。

D．STRIPPER-104配合正性光刻胶使用的剥离掖

采用卤素溶液对环境和健康是有害的，目前世界上都要求采用更安全的物质，玻璃液-104不含卤素、酚、酸等基础物质，符合环境要求，对铝层无腐蚀。

主要特点：

溶于水，剥离板可以用水清洗、不含酸性物质、在室温下可以帮助分解光刻胶、加热时挥发极小

E．OMR-85负性光刻胶

OMR-85是光刻胶的一种，采用合成橡胶制成。

主要特点：纯度高，适用于离子发射机、分辨率高，与模具体尺寸非常相配、粘度好、不易粘在光刻机上、响影后膜厚度再造性稳定、由于采用精细的橡胶原料，因此它的稳定性好。