CREE 氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）裸芯片

适用于高功率通信以及特种市场中放大器应用的RF晶体管器件裸芯片

主要特性：

•             高导热性

•             高击穿电场

•             高饱和电子漂移速度

•             高功率密度（每单位栅范围功率）

主要应用：

•             双通道私人电台

•             宽带放大器

•             蜂窝基础设施

•             测试仪器

•             适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器

产品编号：

科锐，碳化硅专业品牌，引领功率半导体革命

科锐，作为功率半导体及无线照明用LED及LED照明配件的革新者，正凭借其具有划时代意义的碳化硅材料为不同领域的工业带来一场革命，碳化硅材料为众多半导体应用提供高效性及可靠性。

碳化硅将作为基础材料用来研发新能源电子设备，必将超越原来的状态。科锐正为全行业带来一场革命。科锐的系列产品涵盖蓝绿LED芯片、高亮LED、照明用LED、LED配件及灯具，电源调控设备、电频/无线设备。

有着约25年的SiC和GaN宽能阶材料增长及晶片加工和设计经验，科锐是世界领先的SiC功率电子制造商，也是世界上最大的纯显示宽能阶器件制造商。通过调节其材料技术的能效，使得科锐功率电子装置具有更小规格、更高频率、高效而适用于不同应用，包括电源供给，太阳能变流器及工业用电机驱动。

自2002年全球推广使用以来，事实证明科锐的SiC功率装置的高效性与可靠性。科锐领先的功率电子科技，可满足更多对于高效、高可靠性及省电性能的要求。

对于SiC生产的持续改进及成本控制，科锐已经制定了一份科技蓝图，这还包括运用全球先进的产品组合来巩固自身科技的霸主地位。SiC科技的时代已经到来。不要落后了！

更多产品信息请访问 CREE 网站：http://www.cree.com

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